安世中国开放日披露多项技术进展

多项技术进展在两场宣讲交流中被集中披露，这是安世中国在本次活动信息量最集中的一块。9月18日的上海媒体开放日上，双极性、逻辑、功率三条产品线的进展被统一放到12英寸平台下讲述，覆盖器件本身以及配套的工艺与封装。这些进展不是孤立的产品参数，而是围绕12英寸平台能力延伸的一组成果。

双极性分立器件是本次活动技术进展中最特殊的一条。公司称已实现部分12英寸晶圆双极性二极管与三极管的研发设计和量产，是全球首家掌握12英寸双极性二极管与三极管研发设计和量产能力的企业，双极性单基板芯片产量相比8英寸提升两倍以上。作为一项被活动重点呈现的进展，它标志着双极性这条产线被带到12英寸的技术要求上。

逻辑器件方面，活动披露的信息显示，当前12英寸平台量产逻辑料号超1300颗，预计四季度完成近3000颗存量产品的平台迭代更新。从超1300颗到近3000颗，逻辑料号的迁移节奏，反映了12英寸平台在存量产品替代上的推进速度，也是开放日上被反复提及的一组数字。

功率器件在技术进展中呈现为"向外延伸"的态势。公司在低压MOSFET之外向中高压区间延伸，新一代IGBT的研发同步推进。围绕供电与电源场景，活动中还介绍了新一批器件与控制芯片的进展：面向服务器供电的热插拔控制器已推出，可在宽电压范围内直接驱动多颗功率管并联；功率因数校正控制器则从控制原理层面降低电感电流峰值，帮助整机提高功率密度。

封装与工艺平台是技术进展的底座。公司推进铜夹片封装的热机械可靠性设计，并与中国战略合作伙伴协同开发车规级40伏V-BCD与120伏高压BCD工艺平台，以进一步支撑在新能源汽车和AI服务器电源领域的中长期布局。这类基础工艺的协同开发，为前述器件进展提供了底层支撑。

需要强调的是，这些技术进展在开放日上并非以单品发布的形式出现，而是被统一纳入"12英寸平台"的叙事框架。公司在两场宣讲交流中，把双极性、逻辑、功率以及封装工艺的进展依次展开，使其共同指向平台能力的纵向与横向延伸，而非孤立地罗列参数。对现场媒体而言，这类技术进展的价值还在于可追问、可核实——开放日把研发与产线两端同时开放，意味着上述披露可以在参观点位得到直观印证，而不是停留在宣讲的幻灯片里。

从活动整体看，这些技术进展被统一放在"12英寸平台"的叙事下呈现，而不是拆成单条产品线的科普。它们共同说明：在开放日这个舞台上，安世中国想传递的是平台能力的系统性延伸，而非某一颗器件的性能。对关注这家企业的人而言，接下来可跟踪的是这些披露进展的落地节奏，以及车规客户的审核与导入进度。

对行业观察者来说，开放日披露的这组技术进展，意义不止于参数本身。它表明12英寸平台已经从单一产线试点，走向覆盖双极性、逻辑、功率等多产品线的系统性能力，而封装与工艺平台的协同开发，则为这种能力提供了可持续延展的底座。后续真正需要检验的，是这些披露进展向车规客户导入的速度，以及配套的材料、设备与封测环节能否同步跟上平台迭代的节奏。